重磅!臺(tái)積電3nm工藝家族再添新成員

Arm正式發(fā)布了新一代移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)TCS23，包括超大核X4、大核A720、能效核A520，全面走向純64位架構(gòu)，以及第五代GPU Immortalis-G720、Mali-G720/G620，還有互連架構(gòu)DSU-120。

Arm同時(shí)宣布，通過與臺(tái)積電的深度合作，Cortex-X4 CPU已經(jīng)在臺(tái)積電N3E工藝上完成流片，這在業(yè)內(nèi)還是第一家!

臺(tái)積電3nm工藝家族依舊成員眾多，而且在不斷調(diào)整升級(jí)，目前包括N3(N3B)、N3E、N3P、N3X、N3S等等。

N3是最初版本，又稱N3B，號(hào)稱對比N5同等功耗性能提升12%、同等性能功耗降低27%，但性能、功耗、量產(chǎn)良率和進(jìn)度等都未達(dá)預(yù)期，于是有了增強(qiáng)版的N3E。

N3E修復(fù)了N3B上的各種缺陷，設(shè)計(jì)指標(biāo)也有所放寬，對比N5同等功耗性能提升15-20%、同等性能功耗降低30-35%，邏輯密度約1.6倍、芯片密度約1.3倍。

N3E工藝預(yù)計(jì)最快2023年年中量產(chǎn)，Arm、AMD、NVIDIA、博通、高通、聯(lián)發(fā)科、美滿電子等都會(huì)采納。

N3P將是N3E的后續(xù)升級(jí)版，繼續(xù)優(yōu)化性能和工藝，性能提升5%，功耗降低5-10%，芯片面積提升4%。

N3X面向高性能，對比N3P性能再提升5%，芯片密度不變。

N3S被視為終極版，深入優(yōu)化集成密度。

3nm也臺(tái)積電最后一次使用FinFET晶體管架構(gòu)，有望和當(dāng)年極為成功的28nm以上獲得非常強(qiáng)的生命力，尤其是N3E。

另外根據(jù)路線圖，Arm明年將按期推進(jìn)帶來下一代平臺(tái)TCS24，包括超大核心Blackhawk、大核心Chaberton、能效核心Hayes、高端GPU Krake，等等。