-與集成電路其他產(chǎn)品相比，存儲(chǔ)芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2020年至2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將超過(guò)9%。

-截至2020年末長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得全球接近1%市場(chǎng)份額，全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash，與長(zhǎng)存NAND補(bǔ)齊Flash版圖。

-本土需求疊加外部因素催生本土廠商產(chǎn)能躍進(jìn)，未來(lái)五年長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存產(chǎn)能有望持續(xù)提升，形成較高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

NAND與DRAM存儲(chǔ)芯片為全國(guó)最大市場(chǎng)體量的芯片，且國(guó)內(nèi)需求巨大，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等為代表的存儲(chǔ)企業(yè)成立歷史尚短，但通過(guò)持續(xù)技術(shù)迭代，已取得不斷突破。

2021年12月18日，集微咨詢(JW Insights)重磅發(fā)布《中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)100強(qiáng)》排行榜，長(zhǎng)江存儲(chǔ)排名第七位，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)排名第十一位。

存儲(chǔ)芯片需求攀升

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器從易失性角度分為隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM和只讀存儲(chǔ)器 ROM 兩種。目前市場(chǎng)主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器以 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))、NAND Flash和NOR Flash。

DRAM集成度高、功耗低、存取速度慢。從存儲(chǔ)能力來(lái)說(shuō)，DRAM所能提供的存儲(chǔ)容量更大，訪問(wèn)時(shí)間較長(zhǎng)。NAND 容量大、單位容量成本低，NOR 讀取速度快、可靠性高、擦除速度快。多應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)采用的DOC及閃盤。

根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2021年，全球存儲(chǔ)器IC市場(chǎng)超過(guò)1550億美元，其中56%預(yù)計(jì)將來(lái)自于DRAM產(chǎn)品，約41%由NAND存儲(chǔ)器的銷售產(chǎn)生。

伴隨云計(jì)算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等重要趨勢(shì)推動(dòng)數(shù)據(jù)大爆炸時(shí)代的來(lái)臨，并助推了未來(lái)幾年存儲(chǔ)需求的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。與集成電路其他產(chǎn)品相比，存儲(chǔ)芯片的收入近年內(nèi)將經(jīng)歷最快速的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2020年至2025年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將超過(guò)9%。

Yole數(shù)據(jù)顯示，作為全球存儲(chǔ)重要市場(chǎng)，中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模由2014年的1274億元增長(zhǎng)至2019的2697億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到16.18%。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：3D NAND Flash+Nor Flash(武漢新芯)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是大陸首家實(shí)現(xiàn)64層3D NAND量產(chǎn)的IDM企業(yè)。其全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND補(bǔ)齊Flash版圖。

2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布Xtacking架構(gòu);2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功量產(chǎn)64層TLC 3D NAND 閃存。此后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)96層3D NAND閃存技術(shù)量產(chǎn)，2020年4月宣布128層TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070是業(yè)界首款128層QLC閃存。

根據(jù)民生證券數(shù)據(jù)，截至2020年末長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得全球接近1%市場(chǎng)份額，預(yù)計(jì)2025年底占全球總產(chǎn)能的比例將達(dá)到約6%。到2019年和2020年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能分別達(dá)到2萬(wàn)/月、4萬(wàn)/月，2021年、2022年、2023年、2024年、2025年長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能分別將達(dá)到10萬(wàn)片/月、15萬(wàn)片/月、20萬(wàn)片/月、25萬(wàn)片/月、30萬(wàn)片/月。

此外，全資子公司武漢新芯聚焦Nor flash，與長(zhǎng)存NAND 補(bǔ)齊Flash版圖，武漢新芯成立于2006年，由湖北省市區(qū)三級(jí)政府集體決策投資107億，建設(shè)中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線，2008年建成投產(chǎn)。2017年武漢新芯開始聚焦IDM 戰(zhàn)略，發(fā)布了集產(chǎn)品設(shè)計(jì)、晶圓制造與產(chǎn)品銷售于一體的自主品牌，致力于開發(fā)高性價(jià)比的SPI NOR Flash產(chǎn)品。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)：DRAM技術(shù)快速成長(zhǎng)

DRAM作為是存儲(chǔ)最大細(xì)分市場(chǎng)，在電動(dòng)車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的推動(dòng)下、全球居家辦公需求延續(xù)、5G、人工智能大發(fā)展的背景下，DRAM需求也隨之不斷攀升。合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為一體化存儲(chǔ)器制造商，專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。

2020年底，合肥長(zhǎng)鑫19nm DRAM芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)能達(dá)到4萬(wàn)片。當(dāng)下長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的主要是10G1工藝下的DDR4、LPDDR4。未來(lái)將推出10G3工藝下的DDR5、LPDDR5，及10G5工藝下的DDR5、LPDDR5、GDDR6。

2020年安徽省經(jīng)濟(jì)和信息化廳去年印發(fā)了《重點(diǎn)領(lǐng)域補(bǔ)短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》，其中要求實(shí)現(xiàn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)、低功耗電源(電壓)技術(shù)、片內(nèi)糾錯(cuò)編碼(On-Die ECC)技術(shù)，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

集微咨詢(JW Insights)認(rèn)為，目前，全球存儲(chǔ)芯片主要由國(guó)外寡頭企業(yè)供給，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)存在的巨大缺口。伴隨國(guó)際形勢(shì)以及國(guó)內(nèi)缺口，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片自主化已成必然路徑。以長(zhǎng)存、長(zhǎng)鑫為代表的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)經(jīng)過(guò)技術(shù)攻關(guān)，已取得系列技術(shù)突破，并覆蓋NAND與DRAM等主要領(lǐng)域。

存儲(chǔ)芯片作為全球最大市場(chǎng)體量的芯片，伴隨信息化時(shí)代數(shù)據(jù)大爆炸，存儲(chǔ)芯片全球需求量高速攀升，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大。2021年長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能合計(jì)僅占全球約2.5%，而本土需求疊加外部因素催生本土廠商產(chǎn)能躍進(jìn)，未來(lái)五年長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存產(chǎn)能有望持續(xù)提升，形成較高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

關(guān)鍵詞： 存儲(chǔ)芯片需求攀升 存儲(chǔ)芯片 需求攀升 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)市場(chǎng)